光刻胶的概述
光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过曝光后,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显影后,留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早,其工艺成本低、产量高,但由于它吸收显影液后会膨胀,导致其分辨率(即光刻工艺中所能形成图形)不如正胶,因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。
光刻胶的主要技术参数
1.灵敏度(Sensitivity)
灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的曝光剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2.分辨率(resolution)
区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
(1) 曝光系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
想了解更多关于光刻胶的相关资讯,请持续关注本公司。
光刻胶介绍
以下内容由赛米莱德为您提供,今天我们来分享光刻胶的相关内容,希望对同行业的朋友有所帮助!
光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,其溶解度发生变化,经适当溶剂处理,溶去可溶性部分,然后得到所需图像。 光刻胶作为技术门槛极高的电子化学品一直被国际企业垄断。 随着大力研发和投入, 国内企业已逐步从低端 PCB 光刻胶发展至中端半导体光刻胶的量产。
光刻胶定义
光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC),封装(Packaging),微机电系统(MEMS),光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics),平板显示器(LED,LCD,OLED),太阳能光伏(Solar PV)等领域。
期望大家在选购光刻胶时多一份细心,少一份浮躁,不要错过细节疑问。想要了解更多光刻胶的相关资讯,欢迎拨打图片上的热线电话!!!
- NR27 25000P光刻胶报价服务为先「多图」 2020-07-10
- 山西负性光刻胶公司常用解决方案,北京赛米莱德 2020-07-08
- RR5光刻胶价格量大从优 北京赛米莱德有限公司 2020-07-08
- PR1 2000A1光刻胶价格来电咨询“本信息长期有效” 2020-07-07
- 光刻胶供应商信赖推荐 2020-07-07
- 光刻胶 FUTURREX价格服务为先,赛米莱德 2020-07-06
- PR1 2000A1光刻胶报价厂家实力雄厚 2020-07-06
- NR7 6000PY光刻胶报价货源充足「在线咨询」 2020-07-05
- 透明光刻胶供应商规格齐全,北京赛米莱德 2020-07-05
- NR74g 6000PY光刻胶报价货真价实 2020-07-04